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Ultrakurzpulslaser CEPHEUS 50W

Ultrakurzpulslaser CEPHEUS 50W

Die neue 50W Strahlquelle beruht auf dem bewährten Technologiekonzept und Design der CEPHEUS Laser- Familie. Sie zeichnet sich aus durch Robustheit, Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit. Typisch für den neuen CEPHEUS 1050 sind die hohen Pulsenergien von 300 μJ und wichtige Betriebsmodi, wie Burst-Mode und Einzelschussoption. Der Laser eignet sich für die Präzisions-Mikromaterialbearbeitung von fast allen Materialien und ermöglicht dank der hohen Durchschnittsleistung einen hohen Durchsatz bei größtmöglicher Präzision. Typische Anwendungen sind: • Displayglas-Schneiden • Gravieren, Schneiden, Bohren • Großflächiger Materialabtrag (Strukturierung) • Wafer-Trennen • Schnelles, korrosionsfreies Dunkelmarkieren von Stahl, eloxiertem Aluminium. Der CEPHEUS 1050 ist damit ein hervorragendes Werkzeug für die prozesseffiziente Produktion in Branchen wie: • Mikroelektronik • Medizintechnik • Halbleiterindustrie • Automobilindustrie • Werkzeugindustrie Der CEPHEUS 1050 ist wassergekühlt und wird mit einem Wasser/Luft oder Wasser/Wasser Wärmetauscher geliefert. Gängige Schnittstellen, mechanische Kompaktheit und geringer Wartungsaufwand gewährleisten eine einfache und kosteneffiziente Integration.
Ultrakurzpulslaser CEPHEUS 16W

Ultrakurzpulslaser CEPHEUS 16W

Der CEPHEUS 16W ist ein kompakter Ultrakurzpuls-Laser. 16 W @ 500 kHz > 300µJ @ ≤ 20 kHz > 120µJ @ 100 kHz Der CEPHEUS ist ein kompakter Ultrakurzpuls-Laser. Die Pulsdauern dieses diodengepumpten, modengekoppelten Festkörperlasers liegen typischerweise bei < 15 ps. Diese ultrakurzen Laserpulse ermöglichen nichtlineare Multiphotonen- Absorptionsprozesse, welche die Materialbearbeitung weitgehend unabhängig von der Laserwellenlänge machen. Dies bedeutet, dass nahezu alle Materialien bearbeitet werden können, sogar solche, die bei der Laserwellenlänge transparent sind. Ein weiterer Vorteil der ultrakurzen Laserpulsdauern ist die Tatsache, dass die Materialablation nicht auf der Erzeugung von Wärme basiert wie bei Nanosekundenlasern. Es handelt sich hier vielmehr um eine sogenannte “kalte Ablation”. Deshalb verwendet man den CEPHEUS Pikosekundenlaser für alle Laserbearbeitungsprozesse, bei denen Schädigung durch Schmelzen, Verformung oder Verfärbung aufgrund von Wärmeeintrag unerwünscht sind. Die Pulsenergien im Mikrojoule-Bereich sorgen für einen geringeren Materialabtrag pro Laserpuls als bei einem Nanosekundenlaser und erhöhen damit die Präzision der Materialbearbeitung. Somit wird der CEPHEUS überall dort eingesetzt, wo Präzisionsanforderungen von einem Nanosekundenlaser nicht mehr erfüllt werden können. Der CEPHEUS Laser ist so konzipiert, dass er möglichst vielseitig einsetzbar ist. Er liefert sowohl hohe Pulsenergien von bis zu 300 μJ, beispielsweise für Bohranwendungen, als auch hohe Repetitionsraten für schnelle Bearbeitungen. Durch diese Variabilität kann die zur Verfügung stehende optische Leistung effizient umgesetzt und der Bearbeitungsprozess hinsichtlich Qualität und Geschwindigkeit optimiert werden. Die Systemarchitektur des CEPHEUS erlaubt auch das Arbeiten im Burst-Betrieb. In diesem Betriebsmodus emittiert der Laser anstelle eines einzelnen Pulses ein Set von Pulsen innerhalb eines kurzen Zeitraums bei gleichzeitig ausreichend hoher Pulsenergie. Selbstverständlich lassen sich auch hier die relevanten Parameter auf den Prozess optimal abstimmen. Der Laser lässt sich aufgrund seiner extrem kompakten Bauweise und der Luftkühlung problemlos in ein Bearbeitungssystem integrieren. Das Laserkonzept sowie seine hervorragende, opto-mechanische Umsetzung garantieren exzellente Stabilität und Robustheit, bestens geeignet für mehrschichtigen Einsatz in der Industrie.
Optimierungsvorschläge / Suggestions for optimisation

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Zinklegierungen

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